- SQ1431EH-T1_GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- RSQ015N06TR
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- RS1E130GNTB
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 22,2 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- RQ5E030AJTCL
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- AO4406A
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R0-30YLB,115
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 71 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 58 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- ZXM64P03XTA
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-MSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDC642P_F085
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- AON7410
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,5 А (Ta), 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 20 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- CEDM7001 TR
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-883, упаковка: Cut Tape.
- CEDM8001 TR
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-883, упаковка: Cut Tape.
- DMG7702SFG-13
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 890 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN3032LE-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- PMXB120EPE
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), 8,3 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DFN1010D-3, упаковка: Cut Tape.
- DMG7702SFG-7
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 890 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMG4800LK3-13
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,71 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- DMG7401SFG-7
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 940 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R0-25YLB,115
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 73 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 58 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PMXB360ENEA
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: DFN1010D-3, упаковка: Cut Tape.
- QS5U36TR
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: TSMT5, упаковка: Cut Tape.
- RSF014N03TL
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- NVD5807NT4G-VF01
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 33 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NDS355N
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- RS1E200BNTB
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- PSMN038-100YLX
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 94,9 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед