- AON2403
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 6-DFN-EP (2x2), упаковка: Cut Tape.
- RRL035P03TR
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: TUMT6, упаковка: Cut Tape.
- SSM6J414TU,LF
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: UF6, упаковка: Cut Tape.
- MTM761110LBF
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: WSMini6-F1-B, упаковка: Cut Tape.
- RQ6E045BNTCR
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- SI3469DV-T1-E3
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,14 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DN1509K1-G
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 90 В, ток стока: Iс = 200 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 490 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-5, упаковка: Cut Tape.
- AOD2922
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 17 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- RT1E040RPTR
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 550 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-TSST, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H220LVT-7
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,87 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,67 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- RT1E050RPTR
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-TSST, упаковка: Cut Tape.
- SI2309CDS-T1-E3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), 1,7 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI5440DC-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 6,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- DMG4710SSS-13
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,54 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- FDMS0312AS
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- PMXB65ENEZ
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), 8,33 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DFN1010D-3, упаковка: Cut Tape.
- PMPB55ENEAX
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,65 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- AO3422
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- DMN3024LK3-13
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,78 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,17 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- STT3P2UH7
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- RF4E070GNTR
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: HUML2020L8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y59-60EX
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 37 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP3A13FTA
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R1-25MLDX
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- SQ2348ES-T1_GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-236, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед