- SIB408DK-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SC-75-6L Single, упаковка: Cut Tape.
- DMG4812SSS-13
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,54 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PCP1403-TD-H
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-89/PCP-1, упаковка: Cut Tape.
- SI8469DB-T2-E1
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 780 мВт (Ta), 1,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, упаковка: Cut Tape.
- SIB456DK-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SC-75-6L Single, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M24-40EX
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 44 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- PSMN7R5-30MLDX
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 57 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M120-100EX
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 44 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- SI2336DS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), 1,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMN30H4D0L-13
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока: Iс = 250 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMP1022UFDF-7
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 730 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: U-DFN2020-6 (Type F), упаковка: Cut Tape.
- DMP3050LSS-13
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SSM6J503NU,LF(T
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 6-UDFNB (2x2), упаковка: Cut Tape.
- DMN2100UDM-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- AON7400A
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- SI5855CDC-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), 2,8 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- PMPB10XNEZ
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- FDC5661N_F085
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 6-SSOT, упаковка: Cut Tape.
- RW1A025APT2CR
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- SI1330EDL-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 280 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SC-70-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J331R,LF
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- DMN4800LSSQ-13
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,46 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- CMPDM7002AG TR
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- AON7400B
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,1 Вт (Ta), 24 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-DFN-EP (3x3), упаковка: Cut Tape.
- RAL025P01TCR
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 320 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: TUMT6, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед