- SIR172ADP-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 29,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN3033LSN-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SC-59-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP2035UFDF-7
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,03 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: U-DFN2020-6 (Type F), упаковка: Cut Tape.
- PMPB33XP,115
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- RQ3E080GNTB
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 15 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- DMN3150LW-7
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 28 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMN4040SK3-13
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,71 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- RW1E015RPT2R
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- SSM6J212FE,LF
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: ES6, упаковка: Cut Tape.
- RQ5A030APTL
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- RAF040P01TCL
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- SSM6J507NU,LF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 6-UDFNB (2x2), упаковка: Cut Tape.
- AO3423
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J130TU,LF
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: UFM, упаковка: Cut Tape.
- SQ1470AEH-T1_GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-363, SC70, упаковка: Cut Tape.
- DMP22D4UFA-7B
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 330 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 3-DFN0806H4, упаковка: Cut Tape.
- RW1A013ZPT2R
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- DMG4468LFG-7
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7,62 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 990 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: U-DFN3030-8, упаковка: Cut Tape.
- SI5853DDC-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- DMN3033LSNQ-7
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SC-59, упаковка: Cut Tape.
- SI3433CDV-T1-E3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- NVTR4502PT1G
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,13 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI2301BDS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI2399DS-T1-GE3
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMN10H170SFDE-7
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 660 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед