- DMP3017SFG-7
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 940 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN3730UFB-7
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 750 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 470 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 3-DFN, упаковка: Cut Tape.
- SI1416EDH-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: SOT-363, упаковка: Cut Tape.
- DMN2026UVT-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,15 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMN2112SN-7
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SC-59-3, упаковка: Cut Tape.
- RQ3E160ADTB
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- MTM862270LBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 540 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: WSSMini6-F1, упаковка: Cut Tape.
- FDY101PZ
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 150 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 625 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- DMS2120LFWB-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-DFN3020B (3x2), упаковка: Cut Tape.
- RQ1C065UNTR
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: TSMT8, упаковка: Cut Tape.
- DMS2220LFDB-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type B), упаковка: Cut Tape.
- RQ5E035ATTCL
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- PMN30UNEX
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 530 мВт (Ta), 4,46 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMS3014SSS-13
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,55 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RS1G120MNTB
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMN65D8LW-7
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMN3033LDM-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M42-60EX
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 36 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- STL4P2UH7
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BUK9M156-100EX
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 36 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- NVTR01P02LT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI3127DV-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- FJ6K01010L
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: WSMini6-F1-B, упаковка: Cut Tape.
- DMN25D0UFA-7B
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 280 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: X2-DFN0806-3, упаковка: Cut Tape.
- SI5468DC-T1-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед