- DMN2005K-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP1096UCB4-7
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 820 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: U-WLB1010-4, упаковка: Cut Tape.
- DMN2320UFB4-7B
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 520 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- VN2110K1-G
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- NTJS3157NT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SC-88/SC70-6/SOT-363, упаковка: Cut Tape.
- FDC640P
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- DMP6110SFDF-7
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,97 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type F), упаковка: Cut Tape.
- PMV100ENEAR
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 460 мВт (Ta), 4,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002-G
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB), упаковка: Cut Tape.
- RQ3E120BNTB
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- PMXB56ENZ
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), 8,33 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DFN1010D-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN3026LVTQ-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMT3006LDK-7
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,1 А (Ta), 46,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: V-DFN3030-8, упаковка: Cut Tape.
- DMS3016SSS-13
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,54 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PMV27UPEAR
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 490 мВт (Ta), 4,15 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN3016LPS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,18 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN61D8LQ-7
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 470 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 390 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- PMV120ENEAR
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 513 мВт (Ta), 6,4 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN3025LFG-7
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN3A01ZTA
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 970 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
- SIB417AEDK-T1-GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SC-75-6L Single, упаковка: Cut Tape.
- FDC8886
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 6-SSOT, упаковка: Cut Tape.
- NTR4101PT1H
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 420 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP2069UFY4-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 530 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: DFN2015H4-3, упаковка: Cut Tape.
- PSMN013-30MLC,115
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 39 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 38 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед