Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

STP40NF20

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 160 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

STF40NF20

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FP, упаковка: Tube.

STW12NK90Z

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 900 В, ток стока (непрерывный): I_с = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247-3, упаковка: Tube.

STP75NF20

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 190 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

STF11NM80

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 35 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220FP, упаковка: Tube.

STW11NK100Z

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 1000 В, ток стока (непрерывный): I_с = 8,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247-3, упаковка: Tube.

STW18NM80

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 190 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-247-3, упаковка: Tube.

STW15NK90Z

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 900 В, ток стока (непрерывный): I_с = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 350 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-247-3, упаковка: Tube.

STP3N150

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 1500 В, ток стока: I_с = 2,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 140 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF9Z34NPBF

Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 68 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFZ44NPBF

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 94 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRLU024NPBF

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: IPAK (TO-251), упаковка: Tube.

IRF540NPBF

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 130 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRLB8721PBF

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 62 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 65 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF9540NPBF

МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 140 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

STD2HNK60Z-1

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: I-Pak, упаковка: Tube.

IRL540NPBF

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 36 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 140 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP4NK60Z

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 70 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFB4020PBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 100 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP5NK80Z

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 4,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF4905PBF

Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 74 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF5210PBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF4905LPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 170 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-262, упаковка: Tube.

IRL2505PBF

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 104 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 200 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IPP045N10N3GXKSA1

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 214 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)