- DMP6350S-7
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 720 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMS3015SSS-13
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,55 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PMV230ENEAR
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 480 мВт (Ta), 1,45 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMP2039UFDE-7
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 6,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- FDMS7682
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 33 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- PMCM440VNEZ
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 3,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 4-WLCSP (0.78x0.78), упаковка: Cut Tape.
- CEDM8004VL TR
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
- DMG301NU-13
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 260 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 320 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SI2333CDS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- FDN308P
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- AO3424
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- TT8U2TR
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-TSST, упаковка: Cut Tape.
- DMN1019UVT-7
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,73 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- RT1A060APTR
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 600 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-TSST, упаковка: Cut Tape.
- BS270_D74Z
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 400 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- BS170_D74Z
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 830 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM6K211FE,LF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: ES6 (1.6x1.6), упаковка: Cut Tape.
- CPH3350-TL-W
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 3-CPH, упаковка: Cut Tape.
- FDY100PZ
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 625 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- NTNUS3171PZT5G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 150 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-1123, упаковка: Cut Tape.
- DMN2020LSN-7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 610 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SC-59-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN1045UFR4-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: X2-DFN1010-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN3018SFG-13
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- PMN30XPX
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 550 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMG3413L-7
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед