- DMP2225L-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,08 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP3085LSS-13
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RZF013P01TL
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2230UQ-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- PMV50UPE,215
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMG3406L-7
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 770 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- RW1E014SNT2R
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- AON7406
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 15,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- CPH6347-TL-W
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 6-CPH, упаковка: Cut Tape.
- DMN601WKQ-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- RQ3E130BNTB
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- RQ3E100BNTB
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- BUK7M67-60EX
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 31 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- NX7002BKMBYL
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 350 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 3,1 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 3-DFN1006B (0.6x1), упаковка: Cut Tape.
- PMZB290UNE,315
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 3-DFN1006B (0.6x1), упаковка: Cut Tape.
- PMCM4401VPEZ
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 3,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 4-WLCSP (2x2), упаковка: Cut Tape.
- PMCM4401VNEAZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 4-WLCSP (2x2), упаковка: Cut Tape.
- ES6U1T2R
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 1,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- RSR030N06TL
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 540 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- RSM002P03T2L
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: VMT3, упаковка: Cut Tape.
- PMV20XNEAR
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 460 мВт (Ta), 6,94 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SI1032X-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8888
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13,5 А (Ta), 21 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- DMG3404L-7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 780 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- MIC94050YM4-TR
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 6 В, ток стока: Iс = 1,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 568 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-143, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед