- PMZB550UNEYL
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 590 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 мВт (Ta), 1,67 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DFN1006B-3, упаковка: Cut Tape.
- RV2C002UNT2L
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: DFN1006-3 (VML1006), упаковка: Cut Tape.
- NTGS3441T1G
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,65 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP510DL-7
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 180 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- PMV20ENR
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 510 мВт (Ta), 6,94 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMP3065LVT-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMG3415UFY4Q-7
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 16 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 650 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: X2-DFN2015-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP1200UFR4-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 480 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: X2-DFN1010-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP1100UCB4-7
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 670 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: X2-WLB0808-4, упаковка: Cut Tape.
- IPD35N10S3L26ATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 71 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002 TR13
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- RSM002N06T2L
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: VMT3, упаковка: Cut Tape.
- SSM6K217FE,LF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: ES6, упаковка: Cut Tape.
- DMP58D0LFB-7
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 470 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 3-DFN1006 (1.0x0.6), упаковка: Cut Tape.
- PMN16XNEX
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 550 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI1443EDH-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), 2,8 Вт (Tc), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- FDN5632N_F085
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- PMXB350UPE
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 5,68 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DFN1010D-3, упаковка: Cut Tape.
- NX2301P,215
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), 2,8 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN2028UVT-7
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- RV2C010UNT2L
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: DFN1006-3 (VML1006), упаковка: Cut Tape.
- FDMS7698
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13,5 А (Ta), 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 29 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- DMN2075UDW-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-363, упаковка: Cut Tape.
- SIA462DJ-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- DMP3037LSS-13
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед