- PMN52XPX
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 530 мВт (Ta), 4,46 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- PMV450ENEAR
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 800 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 323 мВт (Ta), 554 мВт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMG4712SSS-13
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,55 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- DMN6140LQ-7
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN1260UFA-7B
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: X2-DFN0806-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP32D5LFA-7B
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: X2-DFN0806-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2550UFA-7B
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 600 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: X2-DFN0806-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP1555UFA-7B
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: X2-DFN0806-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP21D0UT-7
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 590 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 240 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- DMN2065UW-7
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 430 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- RE1J002YNTCL
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: EMT3F (SOT-416FL), упаковка: Cut Tape.
- DMN3026LVT-7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- STR2P3LLH6
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- PMZ370UNEYL
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 900 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN3900UFA-7B
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 550 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 390 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: X2-DFN0806-3, упаковка: Cut Tape.
- RQ3E080BNTB
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- PMXB65UPEZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 317 мВт (Ta), 8,33 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DFN1010D-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZ550UNEYL
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 590 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 мВт (Ta), 1,67 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2300UFD-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,21 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 470 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: X1-DFN1212-3, упаковка: Cut Tape.
- PMBF170,215
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 830 мВт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- IPD22N08S2L50ATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 27 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- NTR1P02LT3G
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMP32D4S-13
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 370 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- NX7002BKSX
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 270 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 310 мВт (Ta), 1,67 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 6-TSSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP32D4SW-7
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед