- ZXMN10A11KTC
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,11 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- RE1C001ZPTL
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: EMT3F (SOT-416FL), упаковка: Cut Tape.
- IPD15N06S2L64ATMA2
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 47 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K72KCT,L3F
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 400 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: CST3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J15FU,LF
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: USM, упаковка: Cut Tape.
- NX7002BKWX
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 270 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 310 мВт (Ta), 1,67 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- IPZ40N04S58R4ATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 34 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TSDSON-8-32, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-23 (TO-236AB), упаковка: Cut Tape.
- BSP372NH6327XTSA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- DMNH6021SPSQ-13
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 53 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- RU1E002SPTCL
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 250 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: UMT3F, упаковка: Cut Tape.
- RE1E002SPTCL
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 250 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: EMT3F (SOT-416FL), упаковка: Cut Tape.
- SSM3J36FS,LF
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 330 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SSM, упаковка: Cut Tape.
- IPD30N03S2L20ATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.
- DMN62D0U-13
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 380 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 380 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- BSC883N03LSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 34 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 98 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BS870-7-F
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 250 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- NVR4003NT3G
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 690 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-23 (TO-236AB), упаковка: Cut Tape.
- DMN61D9U-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 380 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 370 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMG1013UWQ-7
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 820 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 310 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- MMBF170Q-7-F
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFH7921TRPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), 34 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: PQFN (5x6) Single Die, упаковка: Cut Tape.
- DMP32D9UFZ-7B
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 390 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: X2-DFN0606-3, упаковка: Cut Tape.
- TP0610K-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 185 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMP56D0UFB-7B
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 425 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 3-DFN1006 (1.0x0.6), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед