- SIHP30N60E-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), монтаж в отверстия, упаковка: Cut Tape.
- SIHS90N65E-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 87 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: SUPER-247 (TO-274AA), упаковка: Cut Tape.
- BSS84WQ-7-F
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 130 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMP2305UVT-7
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,23 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMG7408SFG-7
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP2130LDM-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMN3030LFG-7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP2070UCB6-7
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 920 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: U-WLB1510-6, упаковка: Cut Tape.
- DMN2015UFDE-7
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 660 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- DMG4466SSSL-13
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,42 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSS87H6327FTSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока (непрерывный): Iс = 260 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-SOT89-4-2, упаковка: Cut Tape.
- BSR606NH6327XTSA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: PG-SC-59, упаковка: Cut Tape.
- BSL211SPH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: P-TSOP6-6, упаковка: Cut Tape.
- DMP2033UCB9-7
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: U-WLB1515-9, упаковка: Cut Tape.
- NX138BKR
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 265 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 310 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002L
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSZ0909NSATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 34 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 36 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSP89H6327XTSA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- BSL307SPH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TSOP-6-1, упаковка: Cut Tape.
- NX138BKWX
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 210 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 266 мВт (Ta), 1,33 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: SC-70, упаковка: Cut Tape.
- DMP4025SFGQ-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 4,65 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 810 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC079N03LSCGATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN63D8L-7
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 350 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K37FS,LF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SSM, упаковка: Cut Tape.
- BSS138LT3G
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 225 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед