- SIHD12N50E-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 550 В, ток стока: Iс = 10,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- STB32NM50N
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R8-80BS,118
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 306 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUM80090E-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 128 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- SUM90140E-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- TK31V60W5,LVQ
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 30,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 240 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 4-DFN-EP (8x8), упаковка: Cut Tape.
- SIHH11N60EF-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- FDB060AN08A0
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 255 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB85NF55LT4
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF9510SPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 43 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- IRF9640STRRPBF
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж, упаковка: Cut Tape.
- SIHH21N60E-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 104 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- FDBL0240N100
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 210 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- SQD50N06-09L_GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SIHH14N60EF-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 147 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- SIHH14N65E-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 156 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- SUP80090E-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 128 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Cut Tape.
- SIHF30N60E-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 37 Вт (Tc), монтаж через отверстия, упаковка: Cut Tape.
- SIHH21N65E-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 20,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 156 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- SIHH24N65E-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 23 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 202 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- SIHP22N60E-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 227 Вт (Tc), монтаж в отверстия, упаковка: Cut Tape.
- STB35N65M5
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 27 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIHG33N65E-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 32,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 313 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Cut Tape.
- SIHP12N50C-E3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 208 Вт (Tc), монтаж через отверстия, упаковка: Cut Tape.
- SIHH20N50E-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 174 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед