- PHB45NQ10T,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PHB191NQ06LT,118
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK768R1-100E,118
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 263 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R6-30BL,118
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 306 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7609-75A,118
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 230 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7606-75B,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK764R0-55B,118
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPL60R299CPAUMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 96 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86550
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Ta), 155 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- PSMN5R0-80BS,118
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 270 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK661R9-40C,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 306 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7370DP-T1-GE3
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 9,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), SMD-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- STB30NF20
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK961R6-40E,118
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 357 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK965R8-100E,118
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 357 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK964R2-80E,118
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 349 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK763R8-80E,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 357 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIHD6N62E-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, ток стока: Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 78 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- BUK6C3R3-75C,118
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 181 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- NVMFS5C404NLWFAFT1G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 370 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- PSMN5R6-100BS,118
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 306 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R4-80BS,118
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 306 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R0-60BS,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 306 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5C410NT1G
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 46 А (Ta), 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,9 Вт (Ta), 166 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- FDB38N30U
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока: Iс = 38 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 313 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед