- BUK664R4-55C,118
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 204 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIR640ADP-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R4-30BLE,118
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 178 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN0R7-25YLDX
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 158 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN013-100BS,118
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 68 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 170 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK762R9-40E,118
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 234 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TPH2R506PL,L1Q
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 132 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- STD7NM64N
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 640 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK766R0-60E,118
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 182 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK964R1-40E,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 182 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIHJ6N65E-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 5,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 74 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9611-80E,118
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 182 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9608-55A,118
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 253 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9606-55B,118
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 258 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- VN3205N8-G
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- BUK7608-55A,118
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 254 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R8-40BS,118
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 211 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PHB47NQ10T,118
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 166 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R6-60BS,118
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 211 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R5-80BS,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 210 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN9R5-100BS,118
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 89 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 211 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK764R4-60E,118
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 234 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK964R8-60E,118
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 234 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK662R4-40C,118
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 263 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9606-55A,118
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед