- BUK7608-40B,118
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 157 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4630DY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BUK9609-40B,118
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 157 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK6610-75C,118
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 78 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 158 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- NVD5C446NT4G
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 101 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 101 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9640-100A,118
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 39 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 158 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIR622DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 51,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7686DP-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 37,9 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIJ438DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 69,4 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- TK9P65W,RQ
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFR420TRLPBF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 2,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK7611-55A,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 166 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7635-100A,118
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 41 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 149 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS3500
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,2 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: Power Clip 56, упаковка: Cut Tape.
- BUK969R0-60E,118
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 137 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK6607-75C,118
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 204 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TPHR9203PL,L1Q
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 150 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 132 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- IRFR320TRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 3,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 42 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R5-40BS,118
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 148 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN016-100BS,118
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 57 А (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 148 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TK11P65W,RQ
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 11,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK765R2-40B,118
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 203 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PHB27NQ10T,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 107 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN008-75B,118
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK663R2-40C,118
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 204 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед