Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRF7473TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 6,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRFH5015TRPBF

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока: I_с = 10 А (Ta), 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,6 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.

IRLHS2242TRPBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока: I_с = 7,2 А (Ta), 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,1 Вт (Ta), 9,6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 6-PQFN (2x2), упаковка: Cut Tape.

IRFS23N20DTRLP

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 3,8 Вт (Ta), 170 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IPB017N08N5ATMA1

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 80 В, ток стока (непрерывный): I_с = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.

IPD80R3K3P7ATMA1

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 18 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IPD60R600P7SAUMA1

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 30 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IPD80R2K4P7ATMA1

МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 22 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IPD80R2K0P7ATMA1

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 24 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IPD80R1K2P7ATMA1

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 4,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 37 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IPD80R600P7ATMA1

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 60 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IPD60R280P7ATMA1

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока: I_с = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 53 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

RQJ0303PGDQA#H6

Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 3,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 800 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 3-MPAK, упаковка: Tape & Reel (TR).

IRF630

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 75 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP75NF75

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока: I_с = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 300 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP5NK100Z

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 1000 В, ток стока (непрерывный): I_с = 3,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 125 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP4N150

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 1500 В, ток стока (непрерывный): I_с = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 160 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

STW45NM60

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока (непрерывный): I_с = 45 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 417 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-247-3, упаковка: Tube.

STW77N65M5

Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 69 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 400 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-247-3, упаковка: Tube.

STP16NF06

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP60NF06

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP24NF10

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 85 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP4NK80Z

Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 80 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP65NF06

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP10NK60ZFP

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 35 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FP, упаковка: Tube.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)