- SIR644DP-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,2 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R0-25YLDX
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BSC020N03LSGATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8622
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- STL9P2UH7
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,9 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerFlat™ (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SIRA52DP-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQ4410EY-T1_GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- TK290P60Y,RQ
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIJA52DP-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y8R5-80EX
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 238 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9624-55A,118
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 105 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TK7P65W,RQ
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 6,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7560S
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R0-30YLDX
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 238 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7640-100A,118
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 37 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 138 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7626-100B,118
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 157 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIRA60DP-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 57 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IPB80N03S4L03ATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 94 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- BUK6607-55C,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 158 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R3-30BL,118
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 103 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R5-25YL,115
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 109 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9614-60E,118
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 96 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN017-80BS,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 103 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TK290P65Y,RQ
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TK4R4P06PL,RQ
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 87 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед