- PSMN1R2-25YLDX
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 172 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4C59NT1G
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), 52 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 760 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- IPD50P03P4L11ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 58 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- PSMN017-30BL,118
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 32 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 47 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIRA72DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 56,8 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIRA58DP-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 27,7 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR624DP-T1-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- AON6268
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 56 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SQJA46EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP3008SFGQ-13
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP3008SFGQ-7
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- TK380P60Y,RQ
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 9,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 30 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TK560P65Y,RQ
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86369_F085
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 65 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 107 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
- PSMN050-80BS,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK625R0-40C,118
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 158 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TPN1R603PL,L1Q
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 104 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK7660-100A,118
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 106 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7315DN-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD80P03P4L07ATMA1
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 88 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF7488TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD86113LZ
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), 5,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 29 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- BUK9620-55A,118
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 54 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 118 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TK3R1P04PL,RQ
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 58 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 87 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK765R3-40E,118
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 137 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед