- BUK626R2-40C,118
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 128 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- RQ3G150GNTB
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 39 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 20 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- NDDP010N25AZT4H
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DPAK/TP-FA, упаковка: Cut Tape.
- BUK7208-40B,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 167 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4431CDY-T1-E3
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,2 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SISS98DN-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 14,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 57 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7210-55B,118
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9207-30B,118
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 167 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7212-55B,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 167 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SQJA82EP-T1_GE3
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJA92EP-T1_GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 57 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9240-100A,118
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9675-55A,118
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIJA54DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 36,7 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R5-30YL,115
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 109 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4983NFT1G
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 106 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- TPH3R003PL,LQ
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 88 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- FDD9409_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- BUK9635-55A,118
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TPH7R006PL,L1Q
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 81 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- NTTFS3A08PZTWG
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 840 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y11-80EX
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 84 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 194 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS5C670NLTAG
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 63 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SQS460EN-T1_GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 39 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- PHB66NQ03LT,118
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 66 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 93 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед