- BUK9214-30A,118
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 63 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 107 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN016-100YS,115
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 117 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- HUF76609D3ST
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 49 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y4R4-40EX
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 147 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y4R4-40E,115
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 147 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PMK30EP,518
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,9 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BUK9219-55A,118
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 114 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS4C02NTAG
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 170 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 91 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SIR401DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 39 Вт (Tc), поверхностный монтаж, упаковка: Cut Tape.
- BSP126,115
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 375 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- BSP126,135
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 375 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- PHB21N06LT,118
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 56 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PHB20N06T,118
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- NVMFS5885NLT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 10,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SQJA94EP-T1_GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 55 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4007SK3-13
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 17,6 А (Ta), 76 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SISS10DN-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 57 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- STD5406NT4G-VF01
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,2 А (Ta), 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y19-100E,115
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- DMT4004LPS-13
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 26 А (Ta), 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,6 Вт (Ta), 138 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4007SPS-13
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15,7 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMT6009LFG-7
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 34 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,08 Вт (Ta), 19,2 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- TK560P60Y,RQ
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y30-75B,115
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK6210-55C,118
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 78 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 128 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед