- SQS484ENW-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62,5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y12-55B,115
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 61,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 106 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK6226-75C,118
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK6212-40C,118
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TN2404K-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- DMG4N60SK3-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- IRFH8316TRPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 27 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), 59 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R9-25YLC,115
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 92 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R0-25MLDX
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 74 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R8-25MLC,115
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 88 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R0-30MLC,115
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 88 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK6215-75C,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 57 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 128 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7240-100A,118
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 114 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3910TRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSP220,115
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 225 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SISA24DN-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 52 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R9-30MLC,115
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 91 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BSP225,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 225 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- PSMN5R6-60YLX
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 167 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN019-100YLX
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9215-55A,118
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 55 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 115 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7219-55A,118
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMT3004LPS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), 140 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Ta), 113 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- TK6R7P06PL,RQ
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 66 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R0-30YLDX
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 142 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед