- BUK9M43-100EX
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M6R6-30EX
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4C08NT1G
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 52 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 760 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SI3473CDV-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,2 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP1081UCB4-7
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), 3,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 820 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: U-WLB1010-4, упаковка: Cut Tape.
- BUK7230-55A,118
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 38 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 88 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M5R2-30EX
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 70 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- IRFR120ZTRPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 35 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M12-60EX
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 54 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 79 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M7R2-40EX
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BSC057N03MSGATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), 71 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK6213-30C,118
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK6218-40C,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R6-30YLC,115
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 106 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R5-30YL,115
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 74 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- CTLDM7120-M621H TR
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TLM621H, упаковка: Cut Tape.
- SQJ476EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STQ1HN60K3-AP
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 400 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- TPH7R204PL,LQ
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 48 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- BUK9225-55A,118
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 94 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R4-30YLDX
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 106 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y13-40B,115
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 58 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7222-55A,118
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 48 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 103 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9222-55A,118
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 48 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 103 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIS436DN-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 27,7 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед