- DMT3020LFDF-7
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 1,8 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: U-DFN2020-6 (Type B), упаковка: Cut Tape.
- SIB404DK-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R4-30MLDX
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 66 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 51 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- FDMS0309AS
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R5-30YLC,115
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 84 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 61 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN045-80YS,115
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- DMP2035UFCL-7
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 740 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: U-DFN1616-6, упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R0-30YL,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 79 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R2-30MLDX
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 65 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK72150-55A,118
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 36 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M14-40EX
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 55 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- PMCM6501VNEZ
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 556 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 6-WLCSP (1.48x.98), упаковка: Cut Tape.
- SI7121ADN-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 27,8 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN6R5-25YLC,115
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 64 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PMFPB8032XP,115
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 485 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DFN2020-6, упаковка: Cut Tape.
- SI7111EDN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN5R4-25YLDX
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 47 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK6209-30C,118
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M15-60EX
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- PHK04P02T,518
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 16 В, ток стока: Iс = 4,66 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BUK7237-55A,118
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 77 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9237-55A,118
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 77 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5124PLTAG
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 18 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y41-80EX
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 64 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN7R0-30MLC,115
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 67 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 57 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед