- BUK7M45-40EX
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 31 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- RQ6E055BNTCR
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- SI2303CDS-T1-E3
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SSM3J132TU,LF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 5,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: UFM, упаковка: Cut Tape.
- SI1403BDL-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 625 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- STL4P3LLH6
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: PowerFlat™ (2x2), упаковка: Cut Tape.
- PSMN7R5-30YLDX
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 51 А (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 34 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI7615CDN-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 33 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI2343DS-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- PSMN9R8-30MLC,115
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M33-60EX
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 44 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- SIRA84DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 34,7 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMG4468LK3-13
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,68 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- PMPB20XNEAX
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 460 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y102-100B,115
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y27-40B,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 59,4 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN9R0-25MLC,115
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 55 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- RQ6C065BCTCR
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- DMN10H170SVTQ-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- NTD4965NT4G
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), 68 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,39 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMP4025SFG-13
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 4,65 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 810 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y153-100EX
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 37,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4C13NT1G
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,2 А (Ta), 38 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y153-100E,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 37 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PMV33UPE,215
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 490 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед