- SSM6K504NU,LF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 6-UDFNB (2x2), упаковка: Cut Tape.
- PMV75UP,215
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 490 мВт (Ta), 5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- RV3C002UNT2CL
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: VML0604, упаковка: Cut Tape.
- SCH1430-TL-W
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-563/SCH6, упаковка: Cut Tape.
- PMN30UNX
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 530 мВт (Ta), 4,46 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP1045UFY4-7
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- DMN2028UFDF-7
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 7,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 660 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type F), упаковка: Cut Tape.
- MCH6342-TL-W
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SC-88FL/ MCPH6, упаковка: Cut Tape.
- CPH6445-TL-W
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 6-CPH, упаковка: Cut Tape.
- SSM6J511NU,LF
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: 6-UDFNB (2x2), упаковка: Cut Tape.
- DMN3021LFDF-7
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,03 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: U-DFN2020-6 (Type F), упаковка: Cut Tape.
- DMN3042LFDF-7
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type F), упаковка: Cut Tape.
- PMN48XP,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 530 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- PMPB20XPE,115
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- DMN2004TK-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 540 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- PMPB23XNEZ
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- PMPB29XPE,115
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- SI3424CDV-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SQ2303ES-T1_GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-236 (SOT-23), упаковка: Cut Tape.
- SISA96DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 26,5 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN3016LFDF-7
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,02 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: U-DFN2020-6 (Type F), упаковка: Cut Tape.
- PSMN013-30YLC,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 26 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN9R5-30YLC,115
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 34 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SQ2351ES-T1_GE3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SISA72DN-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед