- BSS7728NH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN53D0LQ-7
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- PMZB150UNEYL
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DFN1006B-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZ200UNEYL
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZB200UNEYL
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: DFN1006B-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN55D0UTQ-7
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 160 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- PMZ950UPEYL
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- RYC002N05T316
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: SST3, упаковка: Cut Tape.
- DMP32D5SFB-7B
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 400 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: X1-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- PMV65UNER
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 490 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-236AB, упаковка: Cut Tape.
- PMV42ENER
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- PMZ390UN,315
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,78 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J353F,LF
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 600 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: S-Mini, упаковка: Cut Tape.
- PMF63UNEX
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 395 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SC-70, упаковка: Cut Tape.
- PMN70XPX
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 530 мВт (Ta), 4,46 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI3443DDV-T1-GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), 5,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), 2,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- PMZ350UPEYL
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 3,125 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- RV2C014BCT2CL
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 700 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZB950UPEYL
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DFN1006B-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZB600UNEYL
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 600 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DFN1006B-3, упаковка: Cut Tape.
- PMV65XPER
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 480 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SI2372DS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), 5,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 960 мВт (Ta), 1,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- PMXB75UPEZ
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 317 мВт (Ta), 8,33 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DFN1010D-3, упаковка: Cut Tape.
- PMV37EN2R
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 510 мВт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K59CTB,L3F
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: CST3B, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед