- IPB030N08N3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 214 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7430TRLPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB60R199CPATMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 139 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IRFS3206TRRPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7434TRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 294 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS3307TRLPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH290N4F6-6AG
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: H2PAK-6, упаковка: Cut Tape.
- IRFS4115TRL7PP
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 105 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 380 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- SIE808DF-T1-E3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 10-PolarPAK® (L), упаковка: Cut Tape.
- STH290N4F6-2AG
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- IRF3805STRL-7PP
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- STB23N80K5
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL33N65M2
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- NTB35N15T4G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 37 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 178 Вт (Tj), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB017N06N3GATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- IRLS4030TRL7PP
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 190 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- NX7002BKR
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 270 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 мВт (Ta), 1,67 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SSM3J35MFV,L3F
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: VESM, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K72CTC,L3F
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: CST3C, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J35CT,L3F
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: CST3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K7002KF,LF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 400 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 270 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: S-Mini, упаковка: Cut Tape.
- PMZ1200UPEYL
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 410 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 310 мВт (Ta), 1,67 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZB1200UPEYL
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 410 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 мВт (Ta), 1,67 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DFN1006B-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2600UFB-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 540 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 3-DFN1006 (1.0x0.6), упаковка: Cut Tape.
- PMZ390UNEYL
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 900 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 5,43 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед