- TPH5R906NH,L1Q
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- BSC014N03MSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7108DN-T1-E3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- HUF76629D3ST
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- BSB013NE2LXIXUMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 36 А (Ta), 163 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: MG-WDSON-2, CanPAK M™, упаковка: Cut Tape.
- FDS8672S
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STL120N4F6AG
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 96 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- RJK0391DPA-00#J5A
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-WPAK (3), упаковка: Cut Tape.
- STD7LN80K5
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TPH4R606NH,L1Q
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 32 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), 63 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- IRF1018ESTRLPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 79 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC017N04NSGATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7858ADP-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF1010ESTRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 84 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF1010ZSTRLPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFH7084TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 156 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDB390N15A
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 27 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB049NE7N3GATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- IRL2203NSTRLPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 116 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 180 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4472DY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 7,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 5,9 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STL16N60M2
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BSB044N08NN3GXUMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: MG-WDSON-2, CanPAK M™, упаковка: Cut Tape.
- IRFS3306TRLPBF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDZ375P
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 4-WLCSP (1x1), упаковка: Cut Tape.
- HUF75631S3ST
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 120 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед