- TPN4R203NC,L1Q
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), 22 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- STD30N6LF6AG
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BSZ035N03MSGATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF7420TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSZ0901NSATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SISA10DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 39 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC252N10NSFGATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7,2 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 78 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- TPN2R703NL,L1Q
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 45 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- IRFH5302TRPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PQFN (5x6) Single Die, упаковка: Cut Tape.
- SK8603160L
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: HSO8-F4-B, упаковка: Cut Tape.
- FDD8445_F085
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- IPD30N06S215ATMA2
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 136 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.
- IPD25CN10NGATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 71 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- AUIRF7640S2TR
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,8 А (Ta), 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DIRECTFET SB, упаковка: Cut Tape.
- IRFH7932TRPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Ta), 104 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,4 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: PQFN (5x6) Single Die, упаковка: Cut Tape.
- SI7106DN-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 12,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9120TRLPBF
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8854
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- IRF3717TRPBF
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFR48ZTRLPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 91 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- STL56N3LLH5
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62,5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD8N60DM2
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- ATP405-TL-H
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 40 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: ATPAK, упаковка: Cut Tape.
- IPD60R380P6ATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 10,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSZ018NE2LSIATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед