- IRLR8256TRPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 81 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 63 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFH8318TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 27 А (Ta), 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 59 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IPD30N03S4L14ATMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 31 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDMA7670
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- TPH8R903NL,LQ
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), 24 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- BSZ058N03LSGATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC050N03MSGATMA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP26M7UFG-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD6N20TM
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9024NTRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 38 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- RT1A050ZPTR
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-TSST, упаковка: Cut Tape.
- RS1E280GNTB
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- SK8403180L
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 39 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: HSSO8-F1-B, упаковка: Cut Tape.
- BSF030NE2LQXUMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: MG-WDSON-2, CanPAK M™, упаковка: Cut Tape.
- IRLR8259TRPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 57 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRF7402TRPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- TPN7R506NH,L1Q
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 42 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- IRF7403TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- TK50P04M1(T6RSS-Q)
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DP, упаковка: Cut Tape.
- DMT8012LK3-13
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- IPD70N03S4L04ATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSC030N03MSGATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3303TRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 57 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPB065N03LGATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP2120G4TA
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед