- STL38N65M5
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), 22,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- SIHG73N60E-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 73 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 520 Вт (Tc), монтаж в отверстия, упаковка: Cut Tape.
- DMP21D2UFA-7B
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 330 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: X2-DFN0806-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J306T(TE85L,F)
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: TSM, упаковка: Cut Tape.
- IRLML5103GTRPBF
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 760 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 540 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- RT1A045APTCR
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 650 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: 8-TSST, упаковка: Cut Tape.
- AO6409
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- IRF5805TRPBF
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.
- RQ3E150BNTB
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- SIA811ADJ-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), 6,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual, упаковка: Cut Tape.
- DMP2039UFDE4-7
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 7,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 690 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 6-DFN2020 (2x2), упаковка: Cut Tape.
- QS6U24TR
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- CMUDM8001 TR
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- SSM6J502NU,LF(T
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 6-UDFNB (2x2), упаковка: Cut Tape.
- QS5U17TR
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: TSMT5, упаковка: Cut Tape.
- RF4E080BNTR
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: HUML2020L8, упаковка: Cut Tape.
- SI8851EDB-T2-E1
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 660 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: Power Micro Foot®, упаковка: Cut Tape.
- BSC090N03MSGATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 48 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 32 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC090N03LSGATMA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), 48 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 32 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR472ADP-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 14,7 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDZ197PZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 6-WLCSP, упаковка: Cut Tape.
- BSZ165N04NSGATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,9 А (Ta), 31 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- TPN8R903NL,LQ
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 22 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- TT8U1TR
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-TSST, упаковка: Cut Tape.
- CMLDM8120G TR
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 860 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-563, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед