- FQB1P50TM
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,13 Вт (Ta), 63 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SPB11N60C3ATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IPLU300N04S41R1XTMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-HSOF-8-1, упаковка: Cut Tape.
- IPB180N04S400ATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8558SDC
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 38 А (Ta), 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- FQB34P10TM_F085
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 155 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRF6618TRPBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), 170 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DIRECTFET™ MT, упаковка: Cut Tape.
- IRLS3034TRLPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS3207TRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 170 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRL540STRLPBF
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF2804STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS3004TRLPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 195 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 380 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS3006TRLPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH140N8F7-2
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB015N04LGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- AUIRF4905STRL
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 170 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7868ADP-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STL24NM60N
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 3,3 А (Ta), 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- IRFS4229TRLPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 45 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 330 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- AUIRFS3107TRL
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB2614
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 62 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 260 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FCB20N60TM
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 208 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH245N75F3-6
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: H2PAK-6, упаковка: Cut Tape.
- STB23NM60ND
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IXFA4N100Q-TRL
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-263 (IXFA), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед