- FDS4470
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 12,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDS6570A
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STD40NF10
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRF1010EZSTRLP
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 140 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FQB5N50CTM
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 73 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- STD9NM60N
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS2572
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), 27 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-MLP (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS3672
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7,4 А (Ta), 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-MLP (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- IRF1310NSTRLPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 160 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4434DY-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4456DY-T1-E3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SPB07N60C3ATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 7,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- FDS86240
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8025S
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS030N06B
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22,1 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SI4842BDY-T1-E3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 6,25 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SIE868DF-T1-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 10-PolarPAK® (L), упаковка: Cut Tape.
- TK10P60W,RVQ
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 9,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF3415STRLPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7556S
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 35 А (Ta), 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- IRL1404ZSTRLPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB80N08S2L07ATMA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- IRLH5034TRPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRF6620TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 27 А (Ta), 150 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DIRECTFET™ MX, упаковка: Cut Tape.
- IPB031N08N5ATMA1
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед