- SI7636DP-T1-E3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN3B04N8TA
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRF7450TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDS8840NZ
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 18,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSZ900N20NS3GATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62,5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD90N03S4L02ATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 136 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDD5353
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- SIJ470DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 58,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 56,8 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4136DY-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7108DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR492DP-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,2 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SUD50N03-06AP-E3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 10 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- IRFS3806TRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 71 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFZ34NSTRLPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 68 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPD90P03P404ATMA1
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 137 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSO301SPHXUMA1
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,79 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-DSO-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD082N10N3GATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDD86326
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), 37 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 62 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- STD13N65M2
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDS3580
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPB144N12N3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока (непрерывный): Iс = 56 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 107 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- AUIRFR5305TRL
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFS3607TRLPBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 140 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSB014N04LX3GXUMA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 36 А (Ta), 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: MG-WDSON-2, CanPAK M™, упаковка: Cut Tape.
- SI4378DY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед