Hittite Microwave Corporation начала выпуск новых усилителей мощности

2011-03-30

Усилители мощности, работающие в диапазоне 12,5 - 43,5 ГГц

Hittite Microwave Corporation – мировой производитель монолитных интегральных микросхем СВЧ-диапазона (MMIC – Monolithic Microwave Integrated Circuits) объявила о выпуске четырех новых усилителей мощности, которые идеально подходят для измерительного оборудования и телекоммуникационных приложений, работающих в диапазоне 12,5 - 43,5 ГГц.

Сферы применения новых усилителей мощности от компании Hittite Microwave Corporation:

СВЧ-радиостанции "точка-точка" (Point-to-Point);
СВЧ-радиостанции "точка-мультиточка" (Point-to-Multi-Point);
VSAT и SATCOM системы.

Новые бескорпусные усилители мощности Hittite Microwave Corporation

Кристалл HMC968 – это бескорпусной одноваттный четырехкаскадный арсенид галлиевый усилитель мощности, изготовленный по технологии pHEMT (psuedomorphic high electron mobility transistor). HMC968 работает в диапазоне частот от 37 до 40 ГГц и обеспечивает 21 дБ усиления, +32 дБм интенсивной выходной мощности, и 15% PAE* от источника питания +6В.

HMC968 имеет компактные размеры 2,76 х 2,33 х 0,1 мм и потребляет всего 900 мА от источника питания +6 В.

Кристалл HMC969 – это бескорпусной одноваттный четырехкаскадный арсенид галлиевый усилитель мощности, изготовленный по технологии pHEMT (psuedomorphic high electron mobility transistor). HMC968 работает в диапазоне частот между 40 и 43,5 ГГц. HMC969 обеспечивает 22 дБ, и +31 дБм интенсивной выходной мощности, и 15% PAE* от источника питания +6 В.

HMC969 имеет компактные размеры 2,77 х 2,32 х 0,1 мм и потребляет всего 900 мА от источника питания +6 В.

Бескорпусные микросхемы HMC968 и HMC969 не требуют внешнего соответствия для облегчения интеграции в многокристальные СВЧ модули MCM (Multi-Chip Module).

Новые усилители мощности Hittite Microwave Corporation для поверхностного монтажа

Монолитная интегральная микросхема СВЧ-диапазона HMC863LP4E – это арсенид галлиевый СВЧ усилитель мощности 0,5 Вт для поверхностного монтажа, изготовленный по технологии pHEMT (psuedomorphic high electron mobility transistor). HMC863LP4E работает в диапазоне частот между 22 и 26,5 ГГц. HMC969 обеспечивает усиление 21,5 дБ, и +27,5 дБм интенсивной выходной мощности, и 15% PAE* от источника питания +6 В.

HMC863LP4E потребляет всего 350 мА от источника питания +6 В.

Монолитная интегральная микросхема СВЧ-диапазона HMC965LP5E – это арсенид галлиевый СВЧ усилитель мощности 2 Вт для поверхностного монтажа, изготовленный по технологии pHEMT (psuedomorphic high electron mobility transistor). HMC965LP5E работает в диапазоне частот между 12,5 и 15,5 ГГц. HMC965LP5E обеспечивает усиление 27 дБ, и +34 дБм интенсивной выходной мощности, и 20% PAE* от источника питания +6 В.

HMC965LP5E потребляет всего 1200 мА от источника питания +6 В.

Hittite Microwave Corporation сегодня

Hittite Microwave Corporation – разработчик и производитель высокопроизводительных интегральных микросхем, модулей, подсистем и приборов для технически сложных приложений, работающих в СВЧ-диапазоне до 110 ГГц с аналоговыми, цифровыми и смешанными сигналами. Сфера применения продукции Hittite Microwave Corporation достаточно широка: она используется в самых разных системах широкополосной беспроводной и проводной связи, в том числе сотовой инфраструктуры, в автомобильных приложениях, в волоконной оптике и различной измерительной аппаратуре.

-------
* PAE: в радиочастотном усилителе мощности эффективность суммирования мощности PAE (power-added efficiency) определяется как отношение разности выходного и входного сигналов к потребляемой мощности постоянного тока.