Maxim Integrated: Питание: драйверы управления затвором

Товаров: 284
highlight_off
Серия

Англ.: Series.

highlight_off
Упаковка

Упаковка (англ. Packaging)

  • Tube – компоненты упаковываются в пластиковую трубку специального профиля с фиксирующими резиновыми заглушками или пластиковыми штифтами по краям. Такая упаковка защищает выводы упакованных деталей от деформации. Для упаковки используются трубки с соответствующими показателями по защите от статического электричества и влажности.
  • Tape & Reel – электронные компоненты находятся на ленте, намотанной на пластиковую катушку. Размер катушки, шаг, количество, ориентацию и другую подробную информацию обычно можно найти в заводской спецификации детали. Такой тип упаковки позволяет использовать автоматическое сборочное оборудование.
  • Tape & Box – лента, содержащая детали, свернута в спираль или сложена «гормошкой» и вставлены в коробку. Лента обычно вытягивается из отверстия в верхней части коробки. Размер ленты, количество и ориентация деталей, а также другая подробная информация обычно указывается в заводской спецификации. Лента и коробка упакованы в соответствии с требованиями защиты от электростатического разряда (ESD) и уровня защиты от влаги (Moisture Sensitivity Level), установленными изготовителем.
  • Cut Tape – компоненты находятся на ленте, отрезанной от катушки Tape & Reel, и содержит точное количество заказанных деталей. Необходимо учитывать, что отрезная лента не содержит кондуктора, поэтому такая упаковка непригодна для многих автоматических сборочных машин.
  • Tray – компоненты упакованы на лоток. Лотки упаковываются в соответствии с требованиями защиты от электростатического разряда (ESD) и уровня защиты от влаги (Moisture Sensitivity Level), установленными изготовителем.
  • Bulk – упаковка россыпью (обычно в пакет). Такой тип упаковки, как правило не пригоден для автоматизированного монтажа. Массовые партии упаковываются в соответствии с требованиями защиты ESD (ElectroStatic Discharge) и MSL (уровень чувствительности к влажности), установленными изготовителем.
  • Ammo – компоненты находятся на ленте, сложенной зигзагом в коробку. Коробки упаковываются в соответствии с требованиями защиты от электростатического разряда (ESD) и уровня защиты от влаги (Moisture Sensitivity Level), установленными изготовителем.
highlight_off
Driven Configuration
Driven Configuration
highlight_off
Channel Type
Channel Type
highlight_off
Number of Drivers
Number of Drivers
highlight_off
Gate Type
Gate Type
highlight_off
Напряжение питания

Англ.: Supply Voltage.

highlight_off
Logic Voltage - VIL, VIH
Logic Voltage - VIL, VIH
highlight_off
Current - Peak Output (Source, Sink)
Current - Peak Output (Source, Sink)
highlight_off
Вход
Input Type
highlight_off
Rise / Fall Time (Typ)
Rise / Fall Time (Typ)
highlight_off
Рабочая температура

Рабочая температура (англ. Operating Temperature) – это диапазон температур, при которых компонент или устройство может нормально функционировать.

Сокращения:

  • TA – температура окружающей среды (англ. Ambient Temperature)
  • TC - температура корпуса (англ. Case Temperature)
  • Tj - температура p-n-перехода (англ. Junction Temperature)
  • TSTG - температура хранения (англ. Storage Temperature)

Формулы связи шкалы Фаренгейта и Цельсия:

([°F] – 32) : 1,8  = [°C]

[°C] × 1.8 + 32 = [°F]

highlight_off
Тип монтажа

Англ.: Mounting Type

highlight_off
Корпус

Англ. Package / Case

highlight_off
Заводской корпус
Supplier Device Package
highlight_off
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
Артикул
Цены
Производитель
Серия
Упаковка
Driven Configuration
Channel Type
Number of Drivers
Gate Type
Напряжение питания
Logic Voltage - VIL, VIH
Current - Peak Output (Source, Sink)
Вход
Rise / Fall Time (Typ)
Рабочая температура
Тип монтажа
Корпус
Заводской корпус
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
MAX1614EUA+T
Maxim Integrated
IC DVR MOSFET HI-SIDE NCH 8-UMAX
шт.
ICL7667CPA+
Maxim Integrated
IC DRIVER MOSFET DUAL PWR 8-DIP
шт.
MAX626CSA+
Maxim Integrated
IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
шт.
MAX4427ESA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRV DUAL NONINV 8-SOIC
шт.
MAX4427CPA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRVR DUAL NONINV 8-DIP
шт.
MAX4420ESA+
Maxim Integrated
IC DRIVER MOSFET 6A HS 8-SOIC
шт.
MAX1614EUA+
Maxim Integrated
IC DVR MOSFET HI-SIDE NCH 8-UMAX
шт.
MAX5064BATC+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRIVER 12-TQFN
шт.
MAX17601ASA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8SOIC
шт.
MAX4427CSA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRV DUAL NONINV 8-SOIC
шт.
MAX628CSA+
Maxim Integrated
IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
шт.
MAX4428ESA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRVR INV/NONINV 8-SOIC
шт.
MAX4426ESA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRVR DUAL INV 8-SOIC
шт.
MAX4420CPA+
Maxim Integrated
IC DRIVER MOSFET SNGL 6A HS 8DIP
шт.
MAX627CPA+
Maxim Integrated
IC DRIVER MOSFET DUAL 8-DIP
шт.
MAX5056AASA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC
шт.
MAX15013AASA+
Maxim Integrated
IC DRIVER MOSFET 8-SOIC
шт.
MAX5075AAUA+
Maxim Integrated
IC DRVR FET P-P 8-UMAX
шт.
MAX5057BASA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC
шт.
MAX5056BASA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC
шт.
MAX17491GTA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DVR NOTEBOOK
шт.
ICL7667EPA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DVR DUAL PWR 8-DIP
шт.
MAX627ESA+
Maxim Integrated
IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
шт.
MAX4428CPA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRVR INV/NONINV 8-DIP
шт.
MAX4428EPA+
Maxim Integrated
IC MOSFET DRVR DUAL 8-DIP
шт.
1 918.71 
10 867.00 
25 694.00 
50 658.21 
100 606.51 
250 576.68 
500 554.80 
Maxim Integrated
High-Side
Single
1
N-Channel MOSFET
5 V ~ 26 V
0.6V, 2V
Non-Inverting
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
8-uMAX
Цена по запросу
Maxim Integrated
Tube
Half-Bridge
Independent
2
N-Channel MOSFET
4.5 V ~ 17 V
0.8V, 2V
Inverting
20ns, 20ns
0 ~ 150°C (TJ)
Through Hole
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-PDIP
1 548.84 
10 521.00 
25 487.19 
50 471.28 
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2V
2A, 2A
Inverting
25ns, 20ns
0 ~ 70°C (TA)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
Цена по запросу
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
Non-Inverting
20ns, 20ns
-40 ~ 85°C (TA)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
1 707.92 
10 672.13 
25 626.39 
50 606.51 
Maxim Integrated
Tube
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
Non-Inverting
20ns, 20ns
0 ~ 70°C (TA)
Through Hole
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-PDIP
1 1032.05 
10 980.35 
25 688.04 
50 654.23 
100 497.14 
250 473.27 
500 439.47 
Maxim Integrated
Low-Side
Single
1
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2.4V
6A, 6A
Non-Inverting
25ns, 25ns
-40 ~ 85°C (TA)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
Цена по запросу
Maxim Integrated
High-Side
Single
1
N-Channel MOSFET
5 V ~ 26 V
0.6V, 2V
Non-Inverting
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
8-uMAX
1 2237.11 
10 2125.75 
25 1549.07 
50 1471.52 
100 1032.05 
250 1024.10 
Maxim Integrated
Half-Bridge
Independent
2
N-Channel MOSFET
8 V ~ 12.6 V
0.8V, 2V
2A, 2A
Inverting, Non-Inverting
65ns, 65ns
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
12-WQFN Exposed Pad
12-TQFN (4x4)
125V
1 359.93 
10 342.03 
25 248.57 
50 236.64 
100 165.05 
250 163.06 
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel MOSFET
4 V ~ 14 V
0.8V, 2.1V
4A, 4A
Non-Inverting
40ns, 25ns
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
1 544.86 
10 517.02 
25 481.23 
50 467.31 
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
Non-Inverting
20ns, 20ns
0 ~ 70°C (TA)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
1 548.84 
10 521.00 
25 487.19 
50 471.28 
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2V
2A, 2A
Inverting, Non-Inverting
25ns, 20ns
0 ~ 70°C (TA)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
Цена по запросу
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
Inverting, Non-Inverting
20ns, 20ns
-40 ~ 85°C (TA)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
1 576.68 
10 548.84 
25 511.06 
50 495.15 
Maxim Integrated
Tube
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
Inverting
20ns, 20ns
-40 ~ 85°C (TA)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
1 763.60 
10 725.82 
25 509.07 
50 483.22 
100 367.88 
250 349.98 
500 324.13 
Maxim Integrated
Tube
Low-Side
Single
1
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2.4V
6A, 6A
Non-Inverting
25ns, 25ns
0 ~ 70°C (TA)
Through Hole
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-PDIP
1 1026.09 
10 974.39 
25 908.76 
50 878.94 
Maxim Integrated
Tube
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2V
2A, 2A
Non-Inverting
25ns, 20ns
0 ~ 70°C (TA)
Through Hole
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-PDIP
Цена по запросу
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel MOSFET
4 V ~ 15 V
0.8V, 2.1V
4A, 4A
Non-Inverting
32ns, 26ns
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
8-SOIC Exposed Pad
1 1596.80 
10 1517.26 
25 1105.63 
50 1049.95 
100 737.75 
250 729.79 
Maxim Integrated
Half-Bridge
Independent
2
N-Channel MOSFET
8 V ~ 12.6 V
0.8V, 2V
2A, 2A
Non-Inverting
65ns, 65ns
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
175V
1 1741.96 
10 1654.47 
25 1207.04 
50 1147.39 
100 803.37 
250 799.39 
Maxim Integrated
Low-Side
Synchronous
2
N-Channel MOSFET
4.5 V ~ 15 V
3A, 3A
RC Input Circuit
10ns, 10ns
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
8-uMax-EP
1 1851.33 
10 1757.87 
25 1282.61 
50 1218.98 
100 855.07 
250 847.12 
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel MOSFET
4 V ~ 15 V
0.8V, 2.1V
4A, 4A
Inverting, Non-Inverting
32ns, 26ns
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
Цена по запросу
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel MOSFET
4 V ~ 15 V
0.8V, 2.1V
4A, 4A
Non-Inverting
32ns, 26ns
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
1 548.84 
10 517.02 
25 413.62 
50 393.73 
100 361.91 
250 344.02 
500 258.51 
Maxim Integrated
Half-Bridge
Synchronous
2
N-Channel MOSFET
4.2 V ~ 5.5 V
2A, 2.7A
Non-Inverting
10ns, 8ns
-40 ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-WQFN Exposed Pad
8-TQFN (3x3)
24V
1 574.69 
10 546.85 
25 509.07 
50 491.17 
Maxim Integrated
Tube
Half-Bridge
Independent
2
N-Channel MOSFET
4.5 V ~ 17 V
0.8V, 2V
Inverting
20ns, 20ns
0 ~ 150°C (TJ)
Through Hole
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-PDIP
1 624.40 
10 592.59 
25 552.81 
50 534.92 
Maxim Integrated
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2V
2A, 2A
Non-Inverting
25ns, 20ns
-40 ~ 85°C (TA)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
1 707.92 
10 672.13 
25 626.39 
50 606.51 
Maxim Integrated
Tube
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
Inverting, Non-Inverting
20ns, 20ns
0 ~ 70°C (TA)
Through Hole
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-PDIP
1 749.68 
10 711.90 
25 664.17 
50 642.30 
Maxim Integrated
Tube
Low-Side
Independent
2
N-Channel, P-Channel MOSFET
4.5 V ~ 18 V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
Inverting, Non-Inverting
20ns, 20ns
-40 ~ 85°C (TA)
Through Hole
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-PDIP

Если вы оставили запрос в нерабочее время, он будет обработан в начале следующего рабочего дня.

График работы:
пн–пт с 9:00 до 18:00 (MSK UTC+3)