Central Semiconductor: Полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Товаров: 96
highlight_off
Тип канала

Тип проводимости канала определяет полярность управляющего напряжения.

highlight_off
Напряжение сток-исток, Uси

Англ.: Drain to Source Voltage, VDS

highlight_off
Напряжение затвор-исток, Uзи макс.

Англ.: Gate-Source Voltage, VGS. Указано максимальное значение.

highlight_off
Ток стока (непрерывный), Iс при 25°C

IС – ток стока, (англ.: Drain Current Continuous, ID), указано значение непрерывного тока стока при температуре корпуса (англ.: Case Temperature) полевого транзистора, составляющей Tc=25°C.

highlight_off
Рассеиваемая мощность, Pмакс.

Pмакс. – максимальная мощность, рассеиваемая полевым транзистором (англ.: Total Power Dissipation, PD) при определенной температуре окружающей среды (англ.: Ambient Temperature, TA).

highlight_off
Сопротивление в открытом состоянии, Rси откр.

Rси откр. полевого транзистора (англ.: Static Drain-Source On-Resistance, RDS(ON)) – сопротивление канала сток-исток в открытом состоянии при определённых условиях испытаний.

highlight_off
Рабочая температура

Рабочая температура (англ. Operating Temperature) – это диапазон температур, при которых компонент или устройство может нормально функционировать.

Сокращения:

  • TA – температура окружающей среды (англ. Ambient Temperature)
  • TC - температура корпуса (англ. Case Temperature)
  • Tj - температура p-n-перехода (англ. Junction Temperature)
  • TSTG - температура хранения (англ. Storage Temperature)

Формулы связи шкалы Фаренгейта и Цельсия:

([°F] – 32) : 1,8  = [°C]

[°C] × 1.8 + 32 = [°F]

highlight_off
Тип монтажа

Англ.: Mounting Type

highlight_off
Корпус

Англ. Package / Case

Артикул
Цены
Производитель
Тип канала
Напряжение сток-исток, Uси
Напряжение затвор-исток, Uзи макс.
Ток стока (непрерывный), Iс при 25°C
Рассеиваемая мощность, Pмакс.
Сопротивление в открытом состоянии, Rси откр.
Рабочая температура
Тип монтажа
Корпус
2N7002 BK
2N7002 BK
Central Semiconductor
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Bulk.
шт.
CMPDM7002AG BK
CMPDM7002AG BK
Central Semiconductor
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Bulk.
шт.
CEDM7001 BK
CEDM7001 BK
Central Semiconductor
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-883, упаковка: Bulk.
шт.
CEDM8001 BK
CEDM8001 BK
Central Semiconductor
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-883, упаковка: Bulk.
шт.
CEDM7004 BK
CEDM7004 BK
Central Semiconductor
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,78 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-883, упаковка: Bulk.
шт.
CEDM8004 BK
CEDM8004 BK
Central Semiconductor
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-883, упаковка: Bulk.
шт.
CMUDM7004 TR
CMUDM7004 TR
Central Semiconductor
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7002AE TR
CEDM7002AE TR
Central Semiconductor
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-883L, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7001VL TR
CEDM7001VL TR
Central Semiconductor
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
шт.
2N7002 TR
2N7002 TR
Central Semiconductor
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMUDM7005 TR
CMUDM7005 TR
Central Semiconductor
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 650 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
шт.
CXDM4060P TR
CXDM4060P TR
Central Semiconductor
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM8001VL TR
CEDM8001VL TR
Central Semiconductor
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7004VL TR
CEDM7004VL TR
Central Semiconductor
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMPDM7003 TR
CMPDM7003 TR
Central Semiconductor
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMUDM8001 TR
CMUDM8001 TR
Central Semiconductor
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMLDM8120G TR
CMLDM8120G TR
Central Semiconductor
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 860 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-563, упаковка: Cut Tape.
шт.
CTLDM7120-M621H TR
CTLDM7120-M621H TR
Central Semiconductor
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TLM621H, упаковка: Cut Tape.
шт.
2N7002 TR13
2N7002 TR13
Central Semiconductor
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM8004VL TR
CEDM8004VL TR
Central Semiconductor
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMPDM7002AG TR
CMPDM7002AG TR
Central Semiconductor
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7001 TR
CEDM7001 TR
Central Semiconductor
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-883, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM8001 TR
CEDM8001 TR
Central Semiconductor
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-883, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7004 TR
CEDM7004 TR
Central Semiconductor
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,78 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-883, упаковка: Cut Tape.
шт.
CWDM3011N TR13
CWDM3011N TR13
Central Semiconductor
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
шт.
10500 20.45 
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
115mA (Tc)
350mW (Ta)
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
7000 28.35 
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
280mA (Ta)
350mW (Ta)
2 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
5000 39.49 
Central Semiconductor
N-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
3 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
5000 39.49 
Central Semiconductor
P-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
8 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
8000 45.16 
Central Semiconductor
N-канал
30V
8V
1.78A (Ta)
100mW (Ta)
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
5000 45.16 
Central Semiconductor
P-канал
30V
8V
450mA (Ta)
100mW (Ta)
1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
1 135.69 
10 125.36 
25 110.98 
100 96.80 
250 84.25 
500 71.69 
1000 57.31 
Central Semiconductor
N-канал
30V
8V
450mA (Ta)
250mW (Ta)
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-523
1 85.06 
10 70.27 
25 59.14 
100 48.20 
250 39.90 
500 33.01 
1000 24.71 
2500 22.68 
Central Semiconductor
N-канал
60V
20V
300mA (Ta)
100mW (Ta)
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883L
1 91.13 
10 74.93 
25 63.19 
100 51.44 
250 42.53 
500 35.24 
1000 26.53 
2500 24.30 
Central Semiconductor
N-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
3 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883VL
1 89.11 
10 74.12 
25 62.58 
100 50.83 
250 42.12 
500 34.83 
1000 26.12 
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
115mA (Tc)
350mW (Ta)
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
1 184.29 
10 169.31 
25 149.86 
100 130.62 
250 113.61 
500 96.60 
1000 77.36 
Central Semiconductor
N-канал
20V
8V
650mA (Ta)
300mW (Ta)
230 mOhm @ 600mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-523
1 198.47 
10 184.90 
25 167.08 
100 146.22 
250 128.19 
500 113.41 
Central Semiconductor
P-канал
40V
25V
6A (Ta)
1.2W (Ta)
65 mOhm @ 6A, 10V
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-89
1 91.13 
10 74.93 
25 63.19 
100 51.44 
250 42.53 
500 35.24 
1000 26.53 
2500 24.30 
Central Semiconductor
P-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
8 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883VL
1 97.21 
10 79.59 
25 67.03 
100 54.68 
250 45.16 
500 37.47 
1000 28.15 
2500 25.72 
Central Semiconductor
N-канал
30V
8V
450mA (Ta)
100mW (Ta)
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883VL
1 97.21 
10 86.07 
25 75.34 
100 64.60 
250 55.90 
500 47.39 
1000 36.45 
Central Semiconductor
N-канал
50V
12V
280mA (Ta)
350mW (Ta)
2 Ohm @ 50mA, 5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
1 141.76 
10 125.36 
25 109.77 
100 93.97 
250 81.41 
500 69.06 
1000 53.26 
Central Semiconductor
P-канал
20V
10V
100mA (Ta)
250mW (Ta)
8 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-523
1 149.86 
10 138.73 
25 122.93 
100 107.13 
250 93.16 
500 79.39 
1000 63.39 
Central Semiconductor
P-канал
20V
8V
860mA (Ta)
350mW (Ta)
150 mOhm @ 950mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-563
1 172.14 
10 158.98 
25 140.95 
100 122.73 
250 106.73 
500 90.93 
1000 72.70 
Central Semiconductor
N-канал
20V
8V
1A (Ta)
1.6W (Ta)
100 mOhm @ 500mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TLM621H
1 89.11 
10 74.12 
25 62.58 
100 50.83 
250 42.12 
500 34.83 
1000 26.12 
2500 24.10 
5000 22.48 
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
115mA (Tc)
350mW (Ta)
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
1 97.21 
10 79.59 
25 67.03 
100 54.68 
250 45.16 
500 37.47 
1000 28.15 
2500 25.72 
Central Semiconductor
P-канал
30V
8V
450mA (Ta)
100mW (Ta)
1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883VL
1 115.44 
10 95.99 
25 81.01 
100 65.82 
250 54.48 
500 45.16 
1000 33.82 
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
280mA (Ta)
350mW (Ta)
2 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
1 125.56 
10 111.99 
25 98.02 
100 84.05 
250 72.70 
500 61.57 
1000 47.59 
2500 43.34 
Central Semiconductor
N-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
3 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
1 125.56 
10 111.99 
25 98.02 
100 84.05 
250 72.70 
500 61.57 
1000 47.59 
2500 43.34 
Central Semiconductor
P-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
8 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
1 131.64 
10 120.70 
25 106.93 
100 93.16 
250 81.01 
500 68.86 
1000 55.09 
2500 50.02 
Central Semiconductor
N-канал
30V
8V
1.78A (Ta)
100mW (Ta)
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
1 139.74 
10 128.40 
25 113.82 
100 99.23 
250 86.27 
500 73.51 
1000 58.73 
Central Semiconductor
N-канал
30V
20V
11A (Ta)
2.5W (Ta)
20 mOhm @ 11A, 10V
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC

Если вы оставили запрос в нерабочее время, он будет обработан в начале следующего рабочего дня.

График работы:
пн–пт с 9:00 до 18:00 (MSK UTC+3)