Central Semiconductor: Полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Товаров: 96
Артикул
Цены
Производитель
Тип канала
Напряжение сток-исток, Uси
Напряжение затвор-исток, Uзи макс.
Ток стока (непрерывный), Iс при 25°C
Рассеиваемая мощность, Pмакс.
Сопротивление в открытом состоянии, Rси откр.
Рабочая температура
Тип монтажа
Корпус
2N7002 BK
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Bulk.
шт.
CMPDM7002AG BK
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Bulk.
шт.
CEDM7001 BK
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-883, упаковка: Bulk.
шт.
CEDM8001 BK
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-883, упаковка: Bulk.
шт.
CEDM7004 BK
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,78 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-883, упаковка: Bulk.
шт.
CEDM8004 BK
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-883, упаковка: Bulk.
шт.
CMUDM7004 TR
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7002AE TR
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-883L, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7001VL TR
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
шт.
2N7002 TR
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMUDM7005 TR
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 650 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
шт.
CXDM4060P TR
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM8001VL TR
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7004VL TR
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMPDM7003 TR
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMUDM8001 TR
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMLDM8120G TR
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 860 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-563, упаковка: Cut Tape.
шт.
CTLDM7120-M621H TR
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TLM621H, упаковка: Cut Tape.
шт.
2N7002 TR13
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM8004VL TR
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
шт.
CMPDM7002AG TR
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7001 TR
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-883, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM8001 TR
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-883, упаковка: Cut Tape.
шт.
CEDM7004 TR
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,78 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-883, упаковка: Cut Tape.
шт.
CWDM3011N TR13
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
шт.
10500 20.45 ₽
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
115mA (Tc)
350mW (Ta)
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
7000 28.35 ₽
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
280mA (Ta)
350mW (Ta)
2 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
5000 39.49 ₽
Central Semiconductor
N-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
3 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
5000 39.49 ₽
Central Semiconductor
P-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
8 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
8000 45.16 ₽
Central Semiconductor
N-канал
30V
8V
1.78A (Ta)
100mW (Ta)
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
5000 45.16 ₽
Central Semiconductor
P-канал
30V
8V
450mA (Ta)
100mW (Ta)
1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
1 135.69 ₽
10 125.36 ₽
25 110.98 ₽
100 96.80 ₽
250 84.25 ₽
500 71.69 ₽
1000 57.31 ₽
Central Semiconductor
N-канал
30V
8V
450mA (Ta)
250mW (Ta)
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-523
1 85.06 ₽
10 70.27 ₽
25 59.14 ₽
100 48.20 ₽
250 39.90 ₽
500 33.01 ₽
1000 24.71 ₽
2500 22.68 ₽
Central Semiconductor
N-канал
60V
20V
300mA (Ta)
100mW (Ta)
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883L
1 91.13 ₽
10 74.93 ₽
25 63.19 ₽
100 51.44 ₽
250 42.53 ₽
500 35.24 ₽
1000 26.53 ₽
2500 24.30 ₽
Central Semiconductor
N-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
3 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883VL
1 89.11 ₽
10 74.12 ₽
25 62.58 ₽
100 50.83 ₽
250 42.12 ₽
500 34.83 ₽
1000 26.12 ₽
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
115mA (Tc)
350mW (Ta)
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
1 184.29 ₽
10 169.31 ₽
25 149.86 ₽
100 130.62 ₽
250 113.61 ₽
500 96.60 ₽
1000 77.36 ₽
Central Semiconductor
N-канал
20V
8V
650mA (Ta)
300mW (Ta)
230 mOhm @ 600mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-523
1 198.47 ₽
10 184.90 ₽
25 167.08 ₽
100 146.22 ₽
250 128.19 ₽
500 113.41 ₽
Central Semiconductor
P-канал
40V
25V
6A (Ta)
1.2W (Ta)
65 mOhm @ 6A, 10V
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-89
1 91.13 ₽
10 74.93 ₽
25 63.19 ₽
100 51.44 ₽
250 42.53 ₽
500 35.24 ₽
1000 26.53 ₽
2500 24.30 ₽
Central Semiconductor
P-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
8 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883VL
1 97.21 ₽
10 79.59 ₽
25 67.03 ₽
100 54.68 ₽
250 45.16 ₽
500 37.47 ₽
1000 28.15 ₽
2500 25.72 ₽
Central Semiconductor
N-канал
30V
8V
450mA (Ta)
100mW (Ta)
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883VL
1 97.21 ₽
10 86.07 ₽
25 75.34 ₽
100 64.60 ₽
250 55.90 ₽
500 47.39 ₽
1000 36.45 ₽
Central Semiconductor
N-канал
50V
12V
280mA (Ta)
350mW (Ta)
2 Ohm @ 50mA, 5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
1 141.76 ₽
10 125.36 ₽
25 109.77 ₽
100 93.97 ₽
250 81.41 ₽
500 69.06 ₽
1000 53.26 ₽
Central Semiconductor
P-канал
20V
10V
100mA (Ta)
250mW (Ta)
8 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-523
1 149.86 ₽
10 138.73 ₽
25 122.93 ₽
100 107.13 ₽
250 93.16 ₽
500 79.39 ₽
1000 63.39 ₽
Central Semiconductor
P-канал
20V
8V
860mA (Ta)
350mW (Ta)
150 mOhm @ 950mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-563
1 172.14 ₽
10 158.98 ₽
25 140.95 ₽
100 122.73 ₽
250 106.73 ₽
500 90.93 ₽
1000 72.70 ₽
Central Semiconductor
N-канал
20V
8V
1A (Ta)
1.6W (Ta)
100 mOhm @ 500mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TLM621H
1 89.11 ₽
10 74.12 ₽
25 62.58 ₽
100 50.83 ₽
250 42.12 ₽
500 34.83 ₽
1000 26.12 ₽
2500 24.10 ₽
5000 22.48 ₽
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
115mA (Tc)
350mW (Ta)
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
1 97.21 ₽
10 79.59 ₽
25 67.03 ₽
100 54.68 ₽
250 45.16 ₽
500 37.47 ₽
1000 28.15 ₽
2500 25.72 ₽
Central Semiconductor
P-канал
30V
8V
450mA (Ta)
100mW (Ta)
1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883VL
1 115.44 ₽
10 95.99 ₽
25 81.01 ₽
100 65.82 ₽
250 54.48 ₽
500 45.16 ₽
1000 33.82 ₽
Central Semiconductor
N-канал
60V
40V
280mA (Ta)
350mW (Ta)
2 Ohm @ 500mA, 10V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23
1 125.56 ₽
10 111.99 ₽
25 98.02 ₽
100 84.05 ₽
250 72.70 ₽
500 61.57 ₽
1000 47.59 ₽
2500 43.34 ₽
Central Semiconductor
N-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
3 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
1 125.56 ₽
10 111.99 ₽
25 98.02 ₽
100 84.05 ₽
250 72.70 ₽
500 61.57 ₽
1000 47.59 ₽
2500 43.34 ₽
Central Semiconductor
P-канал
20V
10V
100mA (Ta)
100mW (Ta)
8 Ohm @ 10mA, 4V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
1 131.64 ₽
10 120.70 ₽
25 106.93 ₽
100 93.16 ₽
250 81.01 ₽
500 68.86 ₽
1000 55.09 ₽
2500 50.02 ₽
Central Semiconductor
N-канал
30V
8V
1.78A (Ta)
100mW (Ta)
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-883
1 139.74 ₽
10 128.40 ₽
25 113.82 ₽
100 99.23 ₽
250 86.27 ₽
500 73.51 ₽
1000 58.73 ₽
Central Semiconductor
N-канал
30V
20V
11A (Ta)
2.5W (Ta)
20 mOhm @ 11A, 10V
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC