Toshiba RN1102MFV,L3F
- Описание
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
- Производитель
- Toshiba
- Раздел каталога
- Транзисторы биполярные с предварительно заданным смещением
- Артикул
- RN1102MFV,L3F
Цены, техническая информация и изображения представлены для ознакомления. Завод-изготовитель может изменять характеристики и внешний вид изделия без уведомления. Актуальную информацию запрашивайте у наших менеджеров.
|
Производитель Англ.: Manufacturer. | Toshiba |
|
Resistor - Base (R1) (Ohms)
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
|
Тип монтажа Англ.: Mounting Type | Surface Mount |
|
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
|
Мощность макс. Максимальная рассеиваемая мощность (англ. Power Max). | 150mW |
|
Корпус Англ. Package / Case | SOT-723 |
|
Заводской корпус
Supplier Device Package | VESM |
|
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Англ.: Collector Emitter Breakdown Voltage (Max) | 50V |
|
Ток коллектора Англ.: Maximal Collector Current, IC | 100mA |
|
Ток коллектора в режиме отсечки (макс.) Англ.: Collector Cutoff Current (Max). | 500nA |
|
Тип транзистора
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
|
Коэфициент усиления по току DC (hFE) (мин) при Iк, Vкэ Англ. DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
|
Напряжение насыщения К-Э (макс) при Iб, Iк Англ. Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Вас также может заинтересовать
Срок поставки до нашего склада указывается в коммерческом предложении, а также в счёте на оплату. Он исчисляется с момента поступления денежных средств на наш расчетный счет.
В каждом конкретном случае Вы будете знать срок поставки заранее, он зависит от наличия требуемых компонентов на мировых складах, сроков производства, скорости формирования сборных грузов и прохождения таможенных процедур.
Большинство электронных компонентов, предлагаемых нами, поставляется с мировых складов поставщиков или производителей. По этой причине доставка радиодеталей в сжатые сроки очень затруднительна.