ON Semiconductor MUN5235T1G
- Описание
- TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
- Производитель
- ON Semiconductor
- Раздел каталога
- Транзисторы биполярные с предварительно заданным смещением
- Артикул
- MUN5235T1G
Цены, техническая информация и изображения представлены для ознакомления. Завод-изготовитель может изменять характеристики и внешний вид изделия без уведомления. Актуальную информацию запрашивайте у наших менеджеров.
Производитель Англ.: Manufacturer. | ON Semiconductor |
Resistor - Base (R1) (Ohms)
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Тип монтажа Англ.: Mounting Type | Surface Mount |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Мощность макс. Максимальная рассеиваемая мощность (англ. Power Max). | 202mW |
Корпус Англ. Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Заводской корпус
Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Англ.: Collector Emitter Breakdown Voltage (Max) | 50V |
Ток коллектора Англ.: Maximal Collector Current, IC | 100mA |
Ток коллектора в режиме отсечки (макс.) Англ.: Collector Cutoff Current (Max). | 500nA |
Тип транзистора
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Коэфициент усиления по току DC (hFE) (мин) при Iк, Vкэ Англ. DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Напряжение насыщения К-Э (макс) при Iб, Iк Англ. Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Вас также может заинтересовать


Срок поставки до нашего склада указывается в коммерческом предложении, а также в счёте на оплату. Он исчисляется с момента поступления денежных средств на наш расчетный счет.
В каждом конкретном случае Вы будете знать срок поставки заранее, он зависит от наличия требуемых компонентов на мировых складах, сроков производства, скорости формирования сборных грузов и прохождения таможенных процедур.
Большинство электронных компонентов, предлагаемых нами, поставляется с мировых складов поставщиков или производителей. По этой причине доставка радиодеталей в сжатые сроки очень затруднительна.