ON Semiconductor MJD31T4G
- Описание
- TRANS NPN 40V 3A DPAK
- Производитель
- ON Semiconductor
- Раздел каталога
- Транзисторы биполярные
- Артикул
- MJD31T4G
Цены, техническая информация и изображения представлены для ознакомления. Завод-изготовитель может изменять характеристики и внешний вид изделия без уведомления. Актуальную информацию запрашивайте у наших менеджеров.
Производитель Англ.: Manufacturer. | ON Semiconductor |
Тип транзистора
Transistor Type | NPN |
Ток коллектора (макс.) Iк макс. – максимальное значение тока коллектора (англ.: Collector Current Max, Ic) | 3A |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Англ.: Collector Emitter Breakdown Voltage (Max) | 40V |
Напряжение насыщения К-Э (макс) при Iб, Iк Англ. Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Ток коллектора в режиме отсечки (макс.) Англ.: Collector Cutoff Current (Max). | 50µA |
Коэфициент усиления по току DC (hFE) (мин) при Iк, Vкэ Англ. DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
Мощность макс. Максимальная рассеиваемая мощность (англ. Power Max). | 1.56W |
Рабочая частота Англ. Frequency | 3MHz |
Тип монтажа Англ.: Mounting Type | Surface Mount |
Корпус Англ. Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Заводской корпус
Supplier Device Package | DPAK-3 |
Вас также может заинтересовать
Срок поставки до нашего склада указывается в коммерческом предложении, а также в счёте на оплату. Он исчисляется с момента поступления денежных средств на наш расчетный счет.
В каждом конкретном случае Вы будете знать срок поставки заранее, он зависит от наличия требуемых компонентов на мировых складах, сроков производства, скорости формирования сборных грузов и прохождения таможенных процедур.
Большинство электронных компонентов, предлагаемых нами, поставляется с мировых складов поставщиков или производителей. По этой причине доставка радиодеталей в сжатые сроки очень затруднительна.