MMBD101LT1G

ON Semiconductor MMBD101LT1G

Описание: DIODE SCHOTTKY 225MW 7V SOT23
Производитель: ON Semiconductor
Раздел каталога: Радиочастотные диоды
Артикул: MMBD101LT1G

Цены, техническая информация и изображения представлены для ознакомления. Завод-изготовитель может изменять характеристики и внешний вид изделия без уведомления. Актуальную информацию запрашивайте у наших менеджеров.

Характеристики Доставка

Производитель Англ.: Manufacturer.	ON Semiconductor
Корпус Англ. Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Заводской корпус Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Рассеиваемая мощность (макс.) Power Dissipation (Max)	225mW
Тип диода Англ: Diode Type.	Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max) Voltage - Peak Reverse (Max)	7V
Емкость перехода Емкость перехода (англ. Junction Capacitance @ V_r,F) определяет частотные характеристики диода. Указывается при определённом значении обратного напряжения (@ V_r) и частоты (@ F).	1pF @ 0V, 1MHz

Самовывоз

Вы можете забрать товар самостоятельно в нашем офисе по адресу г. Санкт-Петербург, проспект Шаумяна, 10, к1.

Доставка по Санкт-Петербургу

Наша компания осуществляет собственную курьерскую доставку по Санкт-Петербургу в пределах КАД. Доставка по Ленинградской области согласовывается дополнительно.

Вы также можете воспользоваться услугами специализированных курьерских служб по их тарифам.

Доставка по России

Доставка товаров по России осуществляется посредством выбранной Вами транспортной компании (ТК) и по её тарифам.

Подробную информацию о доставке смотрите в соответствующем разделе нашего сайта: подробнее о доставке.

Кол-во Цена за ед.

Заказной компонент

Вас также может заинтересовать

MMBT3904LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23

BAT54C-7-F

Diodes

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

HZ0805E601R-10

Laird Technologies

FERRITE BEAD 600 OHM 0805 1LN

UPA810T-T1-A

CEL

RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

HZ0603C601R-10

Laird Technologies

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN