NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR5

Описание: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
Производитель: NXP Semiconductors
Раздел каталога: Радиочастотные полевые транзисторы
Артикул: MRFE6VP5600HR5

Цены, техническая информация и изображения представлены для ознакомления. Завод-изготовитель может изменять характеристики и внешний вид изделия без уведомления. Актуальную информацию запрашивайте у наших менеджеров.

Характеристики Доставка

Производитель Англ.: Manufacturer.	NXP Semiconductors
Частота Frequency	230MHz
Напряжение номинальное Номинальное напряжение (англ. Rated Voltage) – значение напряжения, определённое изготовителем, к которому относятся рабочие и эксплуатационные характеристики.	130V
Корпус Англ. Package / Case	NI-1230
Заводской корпус Supplier Device Package	NI-1230
Мощность на выходе Англ.: Output Power	600W
Тестовый ток Англ. Test Current	100mA
Тип транзистора Transistor Type	LDMOS (Dual)
Коэффициент усиления Gain	25dB
Voltage - Test Voltage - Test	50V

Самовывоз

Вы можете забрать товар самостоятельно в нашем офисе по адресу г. Санкт-Петербург, проспект Шаумяна, 10, к1.

Доставка по Санкт-Петербургу

Наша компания осуществляет собственную курьерскую доставку по Санкт-Петербургу в пределах КАД. Доставка по Ленинградской области согласовывается дополнительно.

Вы также можете воспользоваться услугами специализированных курьерских служб по их тарифам.

Доставка по России

Доставка товаров по России осуществляется посредством выбранной Вами транспортной компании (ТК) и по её тарифам.

Подробную информацию о доставке смотрите в соответствующем разделе нашего сайта: подробнее о доставке.

Кол-во Цена за ед.

Заказной компонент

Вас также может заинтересовать

BLF188XRU

Ampleon

IC TRANS LDMOS 1400W SOT539A

MRF6VP11KHR5

NXP Semiconductors

FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230

MRFE6VP6300HR5

NXP Semiconductors

FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4

MRF150

MACOM

FET RF N-CH 150W 50V 211-11

DRF1200

Microsemi

IC SWITCH FET DRV HYBRID