NXP Semiconductors MRFE6VP100HR5

Описание: FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
Производитель: NXP Semiconductors
Раздел каталога: Радиочастотные полевые транзисторы
Артикул: MRFE6VP100HR5

Цены, техническая информация и изображения представлены для ознакомления. Завод-изготовитель может изменять характеристики и внешний вид изделия без уведомления. Актуальную информацию запрашивайте у наших менеджеров.

Характеристики Доставка

Производитель Англ.: Manufacturer.	NXP Semiconductors
Частота Frequency	512MHz
Напряжение номинальное Номинальное напряжение (англ. Rated Voltage) – значение напряжения, определённое изготовителем, к которому относятся рабочие и эксплуатационные характеристики.	133V
Корпус Англ. Package / Case	NI-780-4
Заводской корпус Supplier Device Package	NI-780-4
Мощность на выходе Англ.: Output Power	100W
Тестовый ток Англ. Test Current	100mA
Тип транзистора Transistor Type	LDMOS
Коэффициент усиления Gain	26dB
Voltage - Test Voltage - Test	50V

Самовывоз

Вы можете забрать товар самостоятельно в нашем офисе по адресу г. Санкт-Петербург, проспект Шаумяна, 10, к1.

Доставка по Санкт-Петербургу

Наша компания осуществляет собственную курьерскую доставку по Санкт-Петербургу в пределах КАД. Доставка по Ленинградской области согласовывается дополнительно.

Вы также можете воспользоваться услугами специализированных курьерских служб по их тарифам.

Доставка по России

Доставка товаров по России осуществляется посредством выбранной Вами транспортной компании (ТК) и по её тарифам.

Подробную информацию о доставке смотрите в соответствующем разделе нашего сайта: подробнее о доставке.

Кол-во Цена за ед.

Заказной компонент

Вас также может заинтересовать

MRFE6VP5150NR1

NXP Semiconductors

FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270

CGH40010F

Cree

TRANS 10W RF GAN HEMT 440166 PKG

MRF6V2010NR1

NXP Semiconductors

FET RF 110V 220MHZ TO270-2

CGH40120F

Cree

TRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG

MW7IC008NT1

NXP Semiconductors

IC PWR AMP RF 900MHZ 8W 24-QFN