(812) 622-17-70

Microsemi APTGF50H60T3G

Описание

POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3

Производитель
Microsemi
Раздел каталога
IGBT модули
Артикул
APTGF50H60T3G

Цены, техническая информация и изображения представлены для ознакомления. Завод-изготовитель может изменять характеристики и внешний вид изделия без уведомления. Актуальную информацию запрашивайте у наших менеджеров.

Статус устаревшее изделие
Производитель

Англ.: Manufacturer.

Microsemi
Тип IGBT

Англ.: IGBT Type.

NPT
Конфигурация
Configuration
Full Bridge Inverter
Вход
Input
Standard
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

Англ.: Collector Emitter Breakdown Voltage (Max)

600V
Ток коллектора

Англ.: Maximal Collector Current, IC

65A
Мощность макс.

Максимальная рассеиваемая мощность (англ. Power Max).

250W
Ток коллектора в режиме отсечки (макс.)

Англ.: Collector Cutoff Current (Max).

250µA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 50A
Входная ёмкость, Cies @ Vce

Англ.: Input Capacitance, Cies @ Vce.

2.2nF @ 25V
NTC термистор

Англ.: NTC Thermistor.

Yes
Тип монтажа

Англ.: Mounting Type

Chassis Mount
Корпус

Англ. Package / Case

SP3

Самовывоз

Вы можете забрать товар самостоятельно в нашем офисе по адресу г. Санкт-Петербург, проспект Шаумяна, 10, к1.

Доставка по Санкт-Петербургу

Наша компания осуществляет собственную курьерскую доставку по Санкт-Петербургу в пределах КАД. Доставка по Ленинградской области согласовывается дополнительно.

Вы также можете воспользоваться услугами специализированных курьерских служб по их тарифам.

Доставка по России

Доставка товаров по России осуществляется посредством выбранной Вами транспортной компании (ТК) и по её тарифам.

Подробную информацию о доставке смотрите в соответствующем разделе нашего сайта: подробнее о доставке.

Кол-во Цена за ед.
Внимание! Ниже указаны ознакомительные цены. Конечная цена может сильно отличаться от начальной и зависит от количества и веса товара, выбранного каталога, курса валют.
Товар снят с производства
Звоните, мы поможем подобрать аналог

Вас также может заинтересовать

APTGF30H60T1G
Microsemi
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
IXYN80N90C3H1
IXYS
IGBT 900V 115A 500W C3 SOT-227
APTGT50H60T3G Силовой IGBT-модуль с полномостовым каналом, 600 В, 80 А, 176 Вт, SP3
Microsemi

Силовой IGBT-модуль с полномостовым каналом, напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 600 В, ток коллектора: 80 А, максимальная мощность: 176 Вт, монтаж на корпус, корпус изделия: SP3.

APTGT75H60T1G
Microsemi
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Срок поставки на электронные компоненты

Срок поставки до нашего склада указывается в коммерческом предложении, а также в счёте на оплату. Он исчисляется с момента поступления денежных средств на наш расчетный счет.

В каждом конкретном случае Вы будете знать срок поставки заранее, он зависит от наличия требуемых компонентов на мировых складах, сроков производства, скорости формирования сборных грузов и прохождения таможенных процедур.

Большинство электронных компонентов, предлагаемых нами, поставляется с мировых складов поставщиков или производителей. По этой причине доставка радиодеталей в сжатые сроки очень затруднительна.